Litografía en chip: EUV de alta NA en uso productivo por primera vez

ASML e Intel han anunciado el primer despliegue industrial de sistemas de litografía EUV de alta NA, marcando un hito clave en la fabricación de semiconductores. 5 nanómetros a 9 nanómetros. Este avance se produce como parte de los esfuerzos continuos de Intel para mejorar sus capacidades de fabricación a través de técnicas avanzadas de fotolitografía. El nuevo sistema, conocido como Twinscan Exe:5200B, está siendo utilizado por Intel Foundry para exponer ciertas capas de algunos procesadores Core Ultra-300, con el nombre en código Panther Lake. La compañía ha recalificado su último proceso de fabricación, 18A, con EUV de alta NA. Sin embargo, los modelos específicos que se beneficiarán de esta nueva técnica permanecen sin revelar.

El objetivo es sentar las bases para una implementación más amplia, asegurando que se realice todo el potencial de la tecnología. Intel Foundry expresó su satisfacción con la primera aplicación práctica de High-NA EUV, destacando su importancia en el avance de sus procesos de fabricación.

Mientras que Intel avanza con una transición más rápida a la EUV de alta NA, el líder de la industria TSMC parece estar avanzando con más cautela. El alto costo de los sistemas EUV de alta NA, aproximadamente 350 millones de euros por unidad, duplica el precio en comparación con los sistemas Low-NA existentes. Además, operar estas máquinas avanzadas requiere mayores gastos. El vicepresidente senior de TSMC, Kevin Zhang, ha expresado repetidamente su sorpresa por los resultados alcanzables con múltiples exposiciones utilizando Low-NA EUV. Como resultado, TSMC planea continuar utilizando Low-NA EUV hasta al menos el proceso de fabricación A12 en 2029. La estrategia de Intel refleja un cambio hacia una mayor confianza en High-NA EUV para las generaciones futuras.

Con el próximo proceso de fabricación 14A programado para comenzar los preparativos para 2027, la compañía pretende aprovechar los beneficios de High-NA EUV de manera más extensa. Esto incluye reducir el número de pasos de exposición requeridos para las estructuras más finas, mejorando así la eficiencia y el rendimiento. Si bien la producción actual de matrices de computación para Panther Lake aún depende en gran medida de sistemas EUV más antiguos, la introducción de High-NA EUV marca una dirección clara para la hoja de ruta de fabricación a largo plazo de Intel. El despliegue de High-NA EUV representa un momento crucial en la tecnología de semiconductores, que ofrece el potencial para mejorar significativamente el rendimiento y reducir los costos con el tiempo.

A medida que fabricantes como Intel sigan adelante con esta innovación, las implicaciones más amplias para la industria y el panorama competitivo serán cada vez más evidentes.