SloveniaUn team di ricerca dell'Università Politecnica di Hong Kong (PolyU) ha sviluppato un nuovo transistor a effetto campo di galleria (TFET) utilizzando nanomateriali 2D, superando il "limite di Boltzmann" fisico che limita l'efficienza energetica dei transistor tradizionali. Questa svolta consente di ridurre significativamente i requisiti di gate-voltage e migliorare le prestazioni, consentendo potenzialmente circuiti integrati ad altissima prestazione e a bassa potenza cruciali per i futuri chip AI. La ricerca, guidata dal Prof. Jianhua Hao, ha utilizzato eterostrutture ultra-thin di bismuto 2D e selenuro di indio, raggiungendo valori di oscillazione sotto la soglia ben al di sotto del limite di 60 mV decade-1. I risultati sono stati pubblicati sulla rivista Science, segnando un significativo progresso nella tecnologia dei semiconduttori.
Lettura del bias (Centro): L'articolo presenta un risultato scientifico senza un'aperta cornice ideologica, ma si concentra sui progressi tecnici e sulle loro implicazioni per la tecnologia e l'industria, senza assumere una posizione politica o promuovere una particolare ideologia.
