SloveniaUne équipe de recherche de l'Université polytechnique de Hong Kong (PolyU) a développé un nouveau transistor à effet de champ de tunneling (TFET) utilisant des nanomatériaux 2D, surmontant la " limite de Boltzmann " physique qui limite l'efficacité énergétique des transistors traditionnels. Cette percée permet de réduire considérablement les exigences de tension de porte et d'améliorer les performances, permettant potentiellement des circuits intégrés ultra-faibles et hautes performances essentiels pour les futures puces d'IA. La recherche, dirigée par le professeur Jianhua Hao, a utilisé des hétérostructures ultra-minces de bismuth 2D et de séléniure d'indium, atteignant des valeurs d'oscillation sous-seuil bien inférieures à la limite de 60 mV décennie-1. Les résultats ont été publiés dans la revue Science, marquant une avancée significative dans la technologie des semi-conducteurs.
Lecture du biais (Centre): L'article présente une réalisation scientifique sans cadre idéologique manifeste. Il se concentre sur les progrès techniques et leurs implications pour la technologie et l'industrie, sans adopter une position politique ni promouvoir une idéologie particulière.
