La lithographie sur puce: l'EUV à haute teneur en NA est utilisé pour la première fois en production

ASML et Intel ont annoncé le premier déploiement industriel de systèmes de lithographie High-NA EUV, marquant une étape clé dans la fabrication de semi-conducteurs. 5 nanomètres à 9 nanomètres. Cette avancée s'inscrit dans le cadre des efforts continus d'Intel pour améliorer ses capacités de fabrication grâce à des techniques de photolithographie avancées. Le nouveau système, connu sous le nom de Twinscan Exe:5200B, est utilisé par Intel Foundry pour exposer certaines couches de certains processeurs Core Ultra-300, nom de code Panther Lake. La société a requalifié son dernier processus de fabrication, 18A, avec High-NA EUV. Cependant, les modèles spécifiques qui bénéficieront de cette nouvelle technique restent non divulgués.

L'objectif est de jeter les bases d'une mise en œuvre plus large, en veillant à ce que le plein potentiel de la technologie soit réalisé. Intel Foundry a exprimé sa satisfaction face à la première application pratique de High-NA EUV, soulignant son importance dans l'avancement de leurs processus de fabrication.

Alors qu'Intel progresse vers une transition plus rapide vers l'EUV High-NA, le leader de l'industrie TSMC semble procéder avec plus de prudence. Le coût élevé des systèmes EUV High-NA, environ 350 millions d'euros par unité, double le prix par rapport aux systèmes Low-NA existants. En outre, l'exploitation de ces machines avancées nécessite des dépenses plus élevées. Le vice-président principal de TSMC, Kevin Zhang, a exprimé à plusieurs reprises sa surprise face aux résultats obtenus avec des expositions multiples en utilisant l'EUV Low-NA. En conséquence, TSMC prévoit de continuer à utiliser l'EUV Low-NA au moins jusqu'au processus de fabrication de l'A12 en 2029. La stratégie d'Intel reflète une évolution vers une plus grande dépendance à l'égard de l'EUV High-NA pour les générations futures.

Avec le prochain processus de fabrication 14A qui devrait commencer les préparatifs d'ici 2027, la société vise à tirer davantage parti des avantages de l'EUV High-NA. Cela inclut la réduction du nombre d'étapes d'exposition requises pour les structures les plus fines, améliorant ainsi l'efficacité et le rendement. Alors que la production actuelle de matrices de calcul pour Panther Lake repose encore largement sur les anciens systèmes EUV, l'introduction de l'EUV High-NA marque une direction claire pour la feuille de route de fabrication à long terme d'Intel. Le déploiement de l'EUV High-NA représente un moment charnière dans la technologie des semi-conducteurs, offrant le potentiel d'améliorer considérablement les performances et de réduire les coûts au fil du temps.

Les fabricants comme Intel poursuivent leur innovation, et les implications plus larges pour l'industrie et le paysage concurrentiel deviendront de plus en plus évidentes.