HKLos investigadores chinos han logrado el éxito inicial en el desarrollo de nodos de procesamiento de semiconductores más pequeños que 3 nm utilizando la tecnología de litografía ultravioleta profunda (DUV) más antigua, en lugar de las herramientas ultravioletas extremas (EUV) más avanzadas producidas por ASML. Esto se produce en medio de las sanciones de los Estados Unidos que impiden a ASML exportar sus máquinas EUV de vanguardia a China. El avance fue informado por los medios taiwaneses Digitimes, que citó comentarios de Ye Tianchun del Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias. El equipo de investigación afirma que completaron la integración temprana de transistores CMOS de puerta de canal de nanohoja (GAA) apilados usando herramientas DUV, marcando un nuevo camino potencial para la fabricación sub-3 nm de China.
Lectura del sesgo (Centro): El artículo presenta los desarrollos técnicos en la fabricación de semiconductores sin favorecer abiertamente ninguna perspectiva política. Se centra en los avances tecnológicos y los factores geopolíticos como las sanciones de los Estados Unidos, pero no exhibe un claro sesgo ideológico en su marco o fuente.
