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GaN-Transistoren in immer mehr Audio-Endstufen
Germany💻 Technologievor 16 Std.

GaN-Transistoren in immer mehr Audio-Endstufen

Der Artikel behandelt die zunehmende Verwendung von Galliumnitrid (GaN) Transistoren in Audio-Verstärker Designs, insbesondere in "Klasse D" Verstärker. GaN-basierte Verstärker bieten Vorteile wie höhere Schaltfrequenzen (bis zu über 1 MHz), reduzierte Phasenverzerrung, kleinere Größe und verbesserte Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen MOSFET-basierten Systemen. Unternehmen wie Infineon, Efficient Power Conversion (EPC), Class D Audio und andere entwickeln GaN-betriebene Verstärker mit Leistungsleistungen von 150W bis 1500W. Automotive Anwendungen umfassen Porsche geplante Integration von GaN-basierten Subwoofer-Verstärker in Fahrzeugen ab 2027. STMicroelectronics hat integrierte Multichip-Module mit GaN-Transistoren entwickelt, bietet sie derzeit aber trotz ihres Potenzials für höhere Effizienz nur mit MOSFETs an.

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heise online logoheise onlineUnabhängigMittevor 16 Std.
GaN-Transistoren in immer mehr Audio-Endstufen

Der Artikel behandelt die zunehmende Verwendung von Galliumnitrid (GaN) Transistoren in Audio-Verstärker Designs, insbesondere in "Klasse D" Verstärker. GaN-basierte Verstärker bieten Vorteile wie höhere Schaltfrequenzen (bis zu über 1 MHz), reduzierte Phasenverzerrung, kleinere Größe und verbesserte Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen MOSFET-basierten Systemen. Unternehmen wie Infineon, Efficient Power Conversion (EPC), Class D Audio und andere entwickeln GaN-betriebene Verstärker mit Leistungsleistungen von 150W bis 1500W. Automotive Anwendungen umfassen Porsche geplante Integration von GaN-basierten Subwoofer-Verstärker in Fahrzeugen ab 2027. STMicroelectronics hat integrierte Multichip-Module mit GaN-Transistoren entwickelt, bietet sie derzeit aber trotz ihres Potenzials für höhere Effizienz nur mit MOSFETs an.

Tendenz-Einschätzung (Mitte): Der Artikel präsentiert sachliche Informationen über technologische Fortschritte bei der Konstruktion von Audioverstärkern mit GaN-Transistoren.

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