SloveniaRaziskovalna skupina na Politehnični univerzi v Hong Kongu (PolyU) je razvila nov transistor z tunelnim poljnim učinkom (TFET) z uporabo 2D nanomaterialov, s čimer je premagala fizično "Boltzmannovo mejo", ki omejuje energetsko učinkovitost tradicionalnih tranzistorjev. Ta preboj omogoča znatno zmanjšanje zahtev po vratni napetosti in izboljšanje zmogljivosti, kar potencialno omogoča ultra-nizko moč, visoko zmogljive integrirane vezje, ki so ključnega pomena za prihodnje čipove AI. Raziskava, ki jo je vodil profesor Jianhua Hao, je uporabila ultra-tanke heterostrukture 2D bizmuta in indijevega selenida, s čimer so dosegle vrednosti pod pragom, ki so precej pod 60 mV decade−1 omejitvijo. Ugotovitve so bile objavljene v reviji Science, kar pomeni pomemben napredek v tehnologiji polprevodnikov.
Ocena pristranskosti (Sredina): Članek predstavlja znanstveni dosežek brez očitnega ideološkega okvirja. Osredotočen je na tehnični napredek in njegove posledice za tehnologijo in industrijo, ne da bi zavzel politično stališče ali promoviral katero koli posebno ideologijo.
