Chip-Lithografie: High-NA EUV erstmals im Produktiveinsatz

ASML und Intel haben den ersten industriellen Einsatz von High-NA EUV-Lithographie-Systemen angekündigt, was einen wichtigen Meilenstein in der Halbleiterfertigung darstellt. 5 Nanometer bis 9 Nanometer. Dieser Fortschritt ist Teil der laufenden Bemühungen von Intel, seine Fertigungskapazitäten durch fortschrittliche Photolithographie-Techniken zu verbessern. Das neue System, bekannt als Twinscan Exe:5200B, wird von Intel Foundry verwendet, um bestimmte Schichten einiger Core Ultra-300-Prozessoren mit dem Codenamen Panther Lake zu entblößen. Das Unternehmen hat sein neuestes Fertigungsprozess 18A mit High-NA EUV umqualifiziert.

Die ASML betonte, dass die doppelte Qualifizierung der Forschungsphase kritische Daten zur Verfeinerung der Systemkonfiguration, der Betriebsdauer und der Integration in die Massenproduktion liefert. Das Ziel ist es, die Grundlage für eine breitere Implementierung zu schaffen und sicherzustellen, dass das volle Potenzial der Technologie realisiert wird.

Während Intel mit einem schnelleren Übergang zu High-NA EUV voranschreitet, scheint der Branchenführer TSMC vorsichtiger vorzugehen. Die hohen Kosten von High-NA EUV-Systemen, etwa 350 Millionen Euro pro Einheit, verdoppeln den Preis im Vergleich zu bestehenden Low-NA-Systemen. Darüber hinaus erfordert der Betrieb dieser fortschrittlichen Maschinen höhere Ausgaben. Der Senior Vice President von TSMC, Kevin Zhang, hat wiederholt seine Überraschung über die Ergebnisse geäußert, die mit mehreren Expositionen mit Low-NA EUV erzielt werden können. Infolgedessen plant TSMC, Low-NA EUV bis zumindest zum Herstellungsprozess von A12 im Jahr 2029 weiter zu verwenden. Die Strategie von Intel spiegelt eine Verschiebung hin zu einer größeren Abhängigkeit von High-NA EUV für zukünftige Generationen wider.

Mit dem bevorstehenden 14A-Fertigungsprozess, der bis 2027 mit den Vorbereitungen beginnen soll, will das Unternehmen die Vorteile von High-NA EUV umfassender nutzen. Dies beinhaltet die Verringerung der Anzahl der Belichtungsschritte, die für die feinsten Strukturen erforderlich sind, wodurch die Effizienz und der Ertrag verbessert werden. Während die aktuelle Produktion von Rechenmatrizen für Panther Lake noch weitgehend auf ältere EUV-Systeme beruht, markiert die Einführung von High-NA EUV eine klare Richtung für Intels langfristige Fertigungs-Roadmap.

Da Hersteller wie Intel mit dieser Innovation voranschreiten, werden die breiteren Auswirkungen auf die Industrie und die Wettbewerbslandschaft immer deutlicher.